一種屏蔽柵溝槽MOSFET制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110811506.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113745337A 公開（公告）日 2021-12-03
申請公布號 CN113745337A 申請公布日 2021-12-03
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孫健;其他發(fā)明人請求不公開姓名 申請（專利權(quán)）人 四川遂寧市利普芯微電子有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 629000四川省遂寧市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)飛龍路66號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及一種屏蔽柵溝槽MOSFET制造方法，在外延層的溝槽側(cè)壁生長屏蔽柵氧化層，然后填充屏蔽柵多晶硅，將屏蔽柵多晶硅回刻至第一目標(biāo)深度；淀積目標(biāo)厚度T的氮化硅層，以形成隔離屏蔽柵多晶硅和器件柵極的介質(zhì)隔離層，氮化硅層回刻至外延層表面處；刻蝕屏蔽柵氧化層至第二目標(biāo)深度，蝕刻氮化硅層至第一目標(biāo)厚度K，使得氮化硅層上表面伸出屏蔽柵氧化層表面；生長柵氧化層，淀積柵極多晶硅，蝕刻柵極多晶硅至第三目標(biāo)深度，以形成屏蔽柵溝槽MOSFET，本申請具有結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、生產(chǎn)效率高、成本低等優(yōu)點。