一種屏蔽柵溝槽結(jié)構(gòu)、屏蔽柵溝槽MOSFET

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202121633119.4 申請日 -
公開（公告）號 CN215266310U 公開（公告）日 2021-12-21
申請公布號 CN215266310U 申請公布日 2021-12-21
分類號 H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孫健;其他發(fā)明人請求不公開姓名 申請（專利權(quán)）人 四川遂寧市利普芯微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 629000四川省遂寧市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)飛龍路66號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請及一種屏蔽柵溝槽結(jié)構(gòu)、屏蔽柵溝槽MOSFET，包括：屏蔽柵溝槽；所述溝槽的側(cè)壁從底部至第二目標(biāo)深度覆屏蔽柵氧化層，溝槽側(cè)壁從所述第二目標(biāo)深度至開口處覆柵氧化層；所述溝槽內(nèi)從底部至第一目標(biāo)深度填充屏蔽柵多晶硅，從第一目標(biāo)深度往上填充目標(biāo)厚度K的氮化硅層，所述氮化硅層表面至第三目標(biāo)深度填充柵極多晶硅；所述屏蔽柵多晶硅和柵極多晶硅被氮化硅層完全隔離，所述氮化硅層頂部嵌入到所述柵極多晶硅內(nèi)。本申請可縮短施工時(shí)間，間接提高了生產(chǎn)效率，在制造成本上，氮化硅層也優(yōu)于高密度等離子體（HDP），從而節(jié)約了制造成本。