降低晶體管的閾值電壓的電路、放大器和NAND閃存

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811603314.5 申請日 -
公開（公告）號 CN111367339B 公開（公告）日 2022-03-01
申請公布號 CN111367339B 申請公布日 2022-03-01
分類號 G05F1/56（2006.01）I 分類 控制；調(diào)節(jié);
發(fā)明人 邵力;劉星 申請（專利權(quán)）人 兆易創(chuàng)新科技集團股份有限公司
代理機構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 孟金喆
地址 100083北京市海淀區(qū)學(xué)院路30號科大天工大廈A座12層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種降低晶體管的閾值電壓的電路、放大器和NAND閃存。該電路包括：反饋電路，反饋電路包括電壓反饋輸入端、第一襯底電壓調(diào)整端和電壓反饋輸出端，電壓反饋輸入端與晶體管的第一端電連接，第一襯底電壓調(diào)整端與晶體管的襯底端電連接；襯底電壓調(diào)整電路，襯底電壓調(diào)整電路包括第一基準(zhǔn)電壓輸入端、比較電壓輸入端和第二襯底電壓調(diào)整端，第一基準(zhǔn)電壓輸入端與第一參考電壓線電連接，比較電壓輸入端與電壓反饋輸出端電連接，第二襯底電壓調(diào)整端與晶體管的襯底端電連接；襯底電壓調(diào)整電路用于降低晶體管的襯底端的電壓。本發(fā)明實現(xiàn)了采用較低的生產(chǎn)成本降低待調(diào)整晶體管的閾值電壓的效果，提升了產(chǎn)品的競爭力。