一種同軸生長PNP雙色外延MICRO-LED結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110123472.6 申請日 -
公開（公告）號 CN112968086A 公開（公告）日 2021-06-15
申請公布號 CN112968086A 申請公布日 2021-06-15
分類號 H01L33/08（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I;H01L27/15（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李起鳴;游正璋 申請（專利權）人 上海顯耀顯示科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 200013上海市浦東新區(qū)鴻音路1889號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種同軸生長PNP雙色外延MICRO?LED結(jié)構(gòu)，包括：第一P型電極、第二P型電極和N型電極；襯底；P型第一色摻雜半導體層，生長于襯底上；第一色發(fā)光層，生長于P型第一色摻雜半導體層上；N型第一色摻雜半導體層，生長于第一色發(fā)光層上；第二色發(fā)光層，生長于N型第一色摻雜半導體層上；P型第二色摻雜半導體層，生長于第二色發(fā)光層上；第一P型電極連接P型第一色摻雜半導體子層；第二P型電極連接P型第二色摻雜半導體子層；N型電極連接N型第一色摻雜半導體第二層和/或第一層。本發(fā)明將兩種顏色發(fā)光外延結(jié)構(gòu)生長在一起，無需鍵合工藝，簡化了多色MICRO?LED的制備工藝，降低了成本。并且避免了MICRO?LED制備工藝中的對準問題，提高了器件質(zhì)量和良率。