一種超薄LED芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910643455.8 申請日 -
公開（公告）號 CN110473942B 公開（公告）日 2021-09-28
申請公布號 CN110473942B 申請公布日 2021-09-28
分類號 H01L33/20（2010.01）I;H01L33/24（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 游正璋;馬后永;李起鳴 申請（專利權(quán)）人 上海顯耀顯示科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 200000上海市浦東新區(qū)鴻音路1889號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種超薄LED芯片，采用了半導(dǎo)體超薄外延結(jié)構(gòu)，利用應(yīng)力調(diào)節(jié)層來調(diào)節(jié)第一導(dǎo)電類型外延層中由于生長產(chǎn)生的應(yīng)力，減小應(yīng)力對發(fā)光層的影響，提高發(fā)光層發(fā)光效率。進(jìn)一步的，在應(yīng)力調(diào)節(jié)層頂部生長第一導(dǎo)電類型位錯(cuò)微調(diào)層，來控制進(jìn)入發(fā)光層的位錯(cuò)濃度，提高發(fā)光層的發(fā)光效率。由于外延結(jié)構(gòu)非常薄，在制備器件的過程中，對外延結(jié)構(gòu)的刻蝕并不會造成外延結(jié)構(gòu)的側(cè)壁傾斜度很大，近似垂直，由于刻蝕后的外延結(jié)構(gòu)頂部和底部的面積相近，與傳統(tǒng)發(fā)光外延芯片相比，本發(fā)明的外延結(jié)構(gòu)所在芯片的單位面積的數(shù)量有效增加，提高了芯片集成度，提高了器件單位面積的發(fā)光效率。