用于生長半導(dǎo)體超薄外延結(jié)構(gòu)的一種外延層

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910643463.2 申請日 -
公開（公告）號 CN110534624B 公開（公告）日 2021-08-03
申請公布號 CN110534624B 申請公布日 2021-08-03
分類號 H01L33/12（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 游正璋;馬后永;李起鳴 申請（專利權(quán)）人 上海顯耀顯示科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 200013上海市浦東新區(qū)鴻音路1889號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種用于生長半導(dǎo)體超薄外延結(jié)構(gòu)的一種外延層，外延層從下往上依次包括第一外延層、第二外延層，位于第一外延層與第二外延層之間的電子流擴散層；第一外延層、第二外延層和電子流擴散層的導(dǎo)電類型相同。本發(fā)明的外延層能夠有效減小外延層表面的應(yīng)力，為后續(xù)材料層的生長提供了良好的生長界面，從而提高超薄外延結(jié)構(gòu)的質(zhì)量和最終所制備的器件的性能。