一種用于半導(dǎo)體超薄外延結(jié)構(gòu)的應(yīng)力調(diào)節(jié)層

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910643471.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN110518102B 公開(kāi)（公告）日 2021-08-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN110518102B 申請(qǐng)公布日 2021-08-03
分類(lèi)號(hào) H01L33/12（2010.01）I;B82Y40/00（2011.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 游正璋;馬后永;李起鳴 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 上海顯耀顯示科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 200013上海市浦東新區(qū)鴻音路1889號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種用于半導(dǎo)體超薄外延結(jié)構(gòu)的應(yīng)力調(diào)節(jié)層，采用多周期應(yīng)力調(diào)節(jié)層以及位于多周期應(yīng)力調(diào)節(jié)層頂部的第一導(dǎo)電類(lèi)型位錯(cuò)微調(diào)層來(lái)降低第一導(dǎo)電類(lèi)型外延層中的應(yīng)力，并且利用第一導(dǎo)電類(lèi)型位錯(cuò)微調(diào)層來(lái)控制應(yīng)力調(diào)節(jié)層表面的位錯(cuò)濃度。由于外延結(jié)構(gòu)非常薄，在制備器件的過(guò)程中，對(duì)外延結(jié)構(gòu)的刻蝕并不會(huì)造成外延結(jié)構(gòu)的側(cè)壁傾斜度很大，近似垂直，由于刻蝕后的外延結(jié)構(gòu)頂部和底部的面積相近，從而克服了傳統(tǒng)外延結(jié)構(gòu)頂部小于底部造成有效出光面積減小的問(wèn)題，提高了芯片集成度，提高了器件單位面積的發(fā)光效率。