一種用于半導體超薄外延結(jié)構(gòu)的應(yīng)力調(diào)節(jié)層

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910643471.7 申請日 -
公開（公告）號 CN110518102B 公開（公告）日 2021-08-03
申請公布號 CN110518102B 申請公布日 2021-08-03
分類號 H01L33/12（2010.01）I;B82Y40/00（2011.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 游正璋;馬后永;李起鳴 申請（專利權(quán)）人 上海顯耀顯示科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 200013上海市浦東新區(qū)鴻音路1889號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種用于半導體超薄外延結(jié)構(gòu)的應(yīng)力調(diào)節(jié)層，采用多周期應(yīng)力調(diào)節(jié)層以及位于多周期應(yīng)力調(diào)節(jié)層頂部的第一導電類型位錯微調(diào)層來降低第一導電類型外延層中的應(yīng)力，并且利用第一導電類型位錯微調(diào)層來控制應(yīng)力調(diào)節(jié)層表面的位錯濃度。由于外延結(jié)構(gòu)非常薄，在制備器件的過程中，對外延結(jié)構(gòu)的刻蝕并不會造成外延結(jié)構(gòu)的側(cè)壁傾斜度很大，近似垂直，由于刻蝕后的外延結(jié)構(gòu)頂部和底部的面積相近，從而克服了傳統(tǒng)外延結(jié)構(gòu)頂部小于底部造成有效出光面積減小的問題，提高了芯片集成度，提高了器件單位面積的發(fā)光效率。