一種半導(dǎo)體超薄外延結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910643472.1 申請日 -
公開（公告）號 CN110534622B 公開（公告）日 2021-08-03
申請公布號 CN110534622B 申請公布日 2021-08-03
分類號 H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 游正璋;馬后永;李起鳴 申請（專利權(quán)）人 上海顯耀顯示科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 200013 上海市浦東新區(qū)鴻音路1889號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體超薄外延結(jié)構(gòu)，包括：位于襯底上的第一導(dǎo)電類型外延層；位于第一導(dǎo)電類型外延層上的應(yīng)力調(diào)節(jié)層；位于多周期應(yīng)力調(diào)節(jié)層上的發(fā)光層；位于發(fā)光層上的第二導(dǎo)電類型外延層。利用應(yīng)力調(diào)節(jié)層來調(diào)節(jié)第一導(dǎo)電類型外延層中由于生長產(chǎn)生的應(yīng)力，減小應(yīng)力對發(fā)光層的影響，提高發(fā)光層發(fā)光效率。進一步的，在應(yīng)力調(diào)節(jié)層頂部生長第一導(dǎo)電類型位錯微調(diào)層，來控制進入發(fā)光層的位錯濃度，提高發(fā)光層的發(fā)光效率。由于外延結(jié)構(gòu)非常薄，在制備器件的過程中，刻蝕后外延結(jié)構(gòu)的側(cè)壁傾斜度很小，近似垂直，由于刻蝕后的外延結(jié)構(gòu)頂部和底部的面積相近，使得芯片上單位面積的外延臺階數(shù)量有效增加，提高了芯片集成度，提高了器件單位面積的發(fā)光效率。