在微通道板通道陣列制備復(fù)合金屬膜層過程中減少開口面積比損失量的工藝及微通道板

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110723599.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113445010A 公開（公告）日 2021-09-28
申請公布號 CN113445010A 申請公布日 2021-09-28
分類號 C23C14/30（2006.01）I;C23C14/54（2006.01）I;C23C14/14（2006.01）I;C23C14/02（2006.01）I;H01J43/24（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 高鵬;邱祥彪;張正君;李臻;叢曉慶;王健;李婧雯;孫賽林;王鵬飛 申請（專利權(quán)）人 北方夜視技術(shù)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京行高知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王菊花
地址 650217云南省昆明市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)紅外路5號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種在微通道板通道陣列制備復(fù)合金屬膜層過程中減少開口面積比損失量的工藝以及微通道板，包括以下步驟：提供密集排列的圓形微孔陣列的基底；在真空環(huán)境下，在所述圓形微孔陣列的圓形微孔輸入面和一定深度的內(nèi)壁采用兩種材料先后蒸鍍的方式進(jìn)行疊加，形成順序?qū)盈B結(jié)構(gòu)ABA，其中A層為鎳鉻合金層，B層為金屬銀或者銅層。本發(fā)明通過在微通道板輸入面及一定深度內(nèi)壁蒸鍍復(fù)合金屬膜層，既滿足面電阻技術(shù)指標(biāo)要求，同時避免傳統(tǒng)厚度太厚、開口面積比損失較大的問題。