利用ALD提高M(jìn)CP通道鍍膜增益穩(wěn)定性的方法、ALD-MCP及應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010388763.3 申請日 -
公開（公告）號 CN111501018B 公開（公告）日 2021-08-31
申請公布號 CN111501018B 申請公布日 2021-08-31
分類號 C23C16/455（2006.01）I;C23C16/40（2006.01）I;C23C16/02（2006.01）I;H01J9/02（2006.01）I;H01J43/24（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 邱祥彪;孫建寧;張正君;叢曉慶;司曙光;任玲;王興超;李婧雯;喬芳建;王鵬飛 申請（專利權(quán)）人 北方夜視技術(shù)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京行高知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王培松;王菊花
地址 650217云南省昆明市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)紅外路5號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及MCP技術(shù)領(lǐng)域，提供一種利用ALD提高M(jìn)CP通道鍍膜增益穩(wěn)定性的方法、ALD?MCP及應(yīng)用。本發(fā)明在微通道板的功能層基礎(chǔ)上，利用ALD技術(shù)沉積Al2O3膜層前，先制作預(yù)處理層來實現(xiàn)Al2O3膜層與MCP基底富硅層之間的過渡；然后在預(yù)處理層的基礎(chǔ)上，通過ALD技術(shù)沉積Al2O3膜層。如此，通過預(yù)處理層作為ALD沉積Al2O3膜層與MCP基底富硅層之間的過渡，避免形成界面缺陷電荷，提高ALD?MCP增益穩(wěn)定性。