一種碳化硅涂層石墨基座的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011267391.5 申請日 -
公開（公告）號 CN112374912A 公開（公告）日 2021-02-19
申請公布號 CN112374912A 申請公布日 2021-02-19
分類號 C04B41/87(2006.01)I 分類 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕;
發(fā)明人 戴煜;吳建;王林靜;王卓健 申請（專利權）人 湖南中科頂立技術創(chuàng)新研究院有限公司
代理機構 長沙智路知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 曲超
地址 410118湖南省長沙市天心區(qū)暮云工業(yè)園頂立科技研發(fā)樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種碳化硅涂層石墨基座的制備方法，該制備方法包括以下步驟：對石墨基座進行預處理，然后置于石墨分流盤上；進行CVR沉積：將高純Si粉末和高純SiO2粉末混合，置于真空爐中，對真空爐進行抽真空處理并在氬氣氛圍中升溫至1850?2050℃，保溫反應2?4h，在石墨基座表面生成SiC基體層；進行CVD沉積：將真空爐爐溫降至1050?1200℃，然后通入CH3SiCl3?H2?Ar反應氣源體系，保溫反應10?30h，在步驟S2所形成的SiC基體層上形成SiC外層；使用本發(fā)明的制備方法所得碳化硅涂層與石墨基座結合緊密，無明顯分層以及涂層高純、高致密，從而提高石墨基座的抗熱震性能。??