一種SiC-Hf（Ta）C復合涂層的制備方法、復合涂層及石墨基座

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011270485.8 申請日 -
公開（公告）號 CN112391606A 公開（公告）日 2021-02-23
申請公布號 CN112391606A 申請公布日 2021-02-23
分類號 C23C16/32(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 戴煜;吳建;劉興亮 申請（專利權）人 湖南中科頂立技術創(chuàng)新研究院有限公司
代理機構 長沙智路知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 曲超
地址 330031江西省南昌市紅谷灘新區(qū)學府大道999號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種SiC?Hf(Ta)C復合涂層的制備方法、復合涂層及石墨基座，該制備方法包括以下步驟：石墨基體表面預處理；將Si粉和SiO2粉末混合，放入所述化學氣相沉積爐中，使化學氣相沉積爐中充滿氬氣；升溫至1800?2000℃，保溫進行反應，保持爐壓5?10kPa，反應時間為2?4h；降溫至1500?1700℃，通入四氯化鉿氣體、五氯化鉭氣體、甲烷、氫氣和稀釋氣體氬氣，進行CVD沉積，沉積時間為2?8h；反應完成后，在充滿氬氣氛圍中降溫至室溫，取出產(chǎn)品；本發(fā)明的方法所制備的復合涂層，與石墨基體連接強度高、致密性好、耐高溫、抗熱震性能好。??