一種氮化硼氣相沉積設(shè)備
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202023121948.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN213925008U | 公開(公告)日 | 2021-08-10 |
申請公布號 | CN213925008U | 申請公布日 | 2021-08-10 |
分類號 | C23C16/455(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;C23C16/458(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 胡祥龍;周岳兵;戴煜;胡高健;王艷艷 | 申請(專利權(quán))人 | 湖南中科頂立技術(shù)創(chuàng)新研究院有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 劉奕 |
地址 | 410118湖南省長沙市天心區(qū)暮云工業(yè)園頂立科技研發(fā)樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型涉及到一種氮化硼氣相沉積設(shè)備,包括殼體,以及相互獨立的第一導(dǎo)氣管和第二導(dǎo)氣管,所述第一導(dǎo)氣管和所述第二導(dǎo)氣管均與所述殼體的內(nèi)腔相通;所述第一導(dǎo)氣管用于傳輸BCl3氣體,所述第二導(dǎo)氣管用于傳輸NH3氣體,所述第一導(dǎo)氣管的外壁纏繞有加熱帶。該設(shè)備設(shè)計合理,能夠有效維持氮化硼沉積過程中反應(yīng)氣體輸送的穩(wěn)定性,確保工件表面氮化硼的沉積質(zhì)量,使工件的氣相沉積生產(chǎn)工藝過程更加穩(wěn)定可靠。 |
