閃存芯片的性能測(cè)試方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201711384655.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN108133732B | 公開（公告）日 | 2021-05-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN108133732B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-05-25 |
| 分類號(hào) | G11C29/56(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 劉凱 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 北京京存技術(shù)有限公司合肥分公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京品源專利代理有限公司 | 代理人 | 孟金喆 |
| 地址 | 100083 北京市海淀區(qū)學(xué)院路30號(hào)科大天工大廈A座12層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種閃存芯片的性能測(cè)試方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。該方法包括：基于預(yù)設(shè)的選取規(guī)則選取閃存芯片的性能測(cè)試樣本，根據(jù)性能測(cè)試樣本對(duì)閃存芯片進(jìn)行編程/擦除測(cè)試；當(dāng)檢測(cè)到編程/擦除測(cè)試完成時(shí)，根據(jù)性能測(cè)試樣本對(duì)閃存芯片進(jìn)行讀干擾測(cè)試；當(dāng)檢測(cè)到讀干擾測(cè)試完成時(shí)，根據(jù)性能測(cè)試樣本對(duì)閃存芯片進(jìn)行數(shù)據(jù)保留測(cè)試。本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，解決了現(xiàn)有技術(shù)中沒有統(tǒng)一的閃存性能測(cè)試流程的問題，實(shí)現(xiàn)了便捷地實(shí)現(xiàn)閃存性能的測(cè)試的效果。?? |
