一種電容分段結(jié)構(gòu)逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201711155620.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN108155909A 公開（公告）日 2018-06-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN108155909A 申請(qǐng)公布日 2018-06-12
分類號(hào) H03M1/14 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 周泱 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 燦芯創(chuàng)智微電子技術(shù)（北京）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京天悅專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 燦芯創(chuàng)智微電子技術(shù)（北京）有限公司
地址 100176 北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)榮華中路10號(hào)1幢A座913
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，具體涉及一種電容分段結(jié)構(gòu)逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器，包括連接在比較器的輸入端上的數(shù)模轉(zhuǎn)換器，數(shù)模轉(zhuǎn)換器包括常規(guī)電容結(jié)構(gòu)的高位電容陣列和低位電容陣列，高位電容陣列連接在比較器的輸入端上，低位電容陣列通過(guò)橋電容Cs連接在比較器的輸入端上，比較器的輸出端連接逐次逼近寄存器及控制電路，橋電容Cs由多個(gè)單位電容C構(gòu)成，還包括設(shè)置在低位電容陣列上的、與橋電容Cs相對(duì)應(yīng)的對(duì)地電容Cg，對(duì)地電容Cg的容量能夠與橋電容Cs的容量進(jìn)行匹配校正。本發(fā)明所提供的電容分段結(jié)構(gòu)逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器能夠提高電容分段結(jié)構(gòu)SAR ADC的匹配精度，改善DNL/INL性能，并防止比較器輸入端的電壓超過(guò)電源電壓的范圍。