半導(dǎo)體器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210207403.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114582832A 公開（公告）日 2022-06-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN114582832A 申請(qǐng)公布日 2022-06-03
分類號(hào) H01L23/522;H01L23/64 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蘇萬錫;李海旭 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 東芯半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 汪駿飛
地址 201799 上海市青浦區(qū)徐涇鎮(zhèn)諸光路1588弄虹橋世界中心L4A-F5
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件。該半導(dǎo)體器件包括：襯底，具有第一區(qū)域和第二區(qū)域；器件層，形成在第一區(qū)域上；以及虛擬結(jié)構(gòu)，形成在第二區(qū)域上，其中虛擬結(jié)構(gòu)包括相互嵌套的第一螺旋形虛擬層和第二螺旋形虛擬層。以此方式，形成在半導(dǎo)體器件上的虛擬結(jié)構(gòu)不但可以用來使芯片版圖密度均勻化，而且還可以用作存儲(chǔ)電容器。