具有垂直溝道晶體管的存儲(chǔ)器及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210113278.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114446965A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-05-06 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114446965A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-05-06 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L27/108（2006.01）I;H01L21/8242（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 金鎮(zhèn)湖 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 東芯半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 熊風(fēng) |
| 地址 | 201799上海市青浦區(qū)徐涇鎮(zhèn)諸光路1588弄虹橋世界中心L4A-F5 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供具有垂直溝道晶體管的存儲(chǔ)器及其制造方法。通過(guò)將多條位線圍繞半導(dǎo)體柱的下部的外壁形成，將多條字線在多條位線的上方隔著中間絕緣層而圍繞半導(dǎo)體柱的外壁形成，使得垂直溝槽晶體管的主體能夠直接接觸半導(dǎo)體襯底，從而避免垂直溝槽晶體管的主體浮動(dòng)，且可以縮小器件尺寸，提高器件可靠性。此外，僅通過(guò)沉積和蝕刻工藝來(lái)形成柵堆疊結(jié)構(gòu)，無(wú)需光刻工藝，不借助光掩模而形成字線，結(jié)構(gòu)和工藝較為簡(jiǎn)單，從而沿用現(xiàn)有設(shè)備和材料即可將存儲(chǔ)器擴(kuò)展到10nm以下。 |
