一種調(diào)節(jié)垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器光束發(fā)散角的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010063125.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN111244760B 公開（公告）日 2021-09-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN111244760B 申請(qǐng)公布日 2021-09-10
分類號(hào) H01S5/183 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐化勇;仇伯倉;高陽;蔣鍇 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江西德瑞光電技術(shù)有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 南昌洪達(dá)專利事務(wù)所 代理人 黃文亮
地址 330000 江西省南昌市小藍(lán)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)富山大道以南、金湖以西
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種調(diào)節(jié)垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器光束發(fā)散角的方法，在半導(dǎo)體襯底上利用外延技術(shù)依次生長N型半導(dǎo)體反射層、有源層、p型半導(dǎo)體反射層；所述N型半導(dǎo)體反射層和P型半導(dǎo)體反射層為具有不同折射率的兩種半導(dǎo)體材料組成的多對(duì)分布布拉格反射鏡層；所述P型半導(dǎo)體DBR具有減少的對(duì)數(shù)；在所述P型半導(dǎo)體反射層上制作一定對(duì)數(shù)的介質(zhì)DBR層；通過調(diào)節(jié)所述介質(zhì)DBR層的橫向尺寸來調(diào)節(jié)VCSEL的發(fā)散角。本發(fā)明可以在維持較大的氧化孔直徑基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)對(duì)VCSEL發(fā)散角的調(diào)節(jié)。