一種電阻結構及其制作方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202011085858.4 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112186103A | 公開（公告）日 | 2021-01-05 |
| 申請公布號 | CN112186103A | 申請公布日 | 2021-01-05 |
| 分類號 | H01L49/02(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 劉卓佳;張旭;梁勇松;王興梅;高曉翠 | 申請（專利權）人 | 北京飛宇微電子電路有限責任公司 |
| 代理機構 | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人 | 北京飛宇微電子電路有限責任公司 |
| 地址 | 100000北京市經濟技術開發(fā)區(qū)文昌大道8號1幢5B19室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種電阻結構及其制作方法，包括：提供待刻蝕制品，待刻蝕制品包括基片以及依次位于基片頂表面上的電阻薄膜和多層導帶薄膜，待刻蝕制品具有待形成導帶的第一區(qū)域和待形成電阻的第二區(qū)域；對多層導帶薄膜進行選擇性刻蝕，保留第一區(qū)域的導帶薄膜，去除其他區(qū)域的導帶薄膜；對電阻薄膜進行選擇性刻蝕，保留第二區(qū)域的電阻薄膜，去除其他區(qū)域的電阻薄膜，形成所需的電阻結構。與現(xiàn)有技術中的制作方法相比，本發(fā)明所提供的方法減少了腐蝕次數(shù)，縮短了電阻薄膜和導帶薄膜暴露于腐蝕液中的時間，從而改善了電阻薄膜圖形的掏蝕現(xiàn)象。?? |
