一種基于磁性隧道結(jié)的位元結(jié)構(gòu)
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202010521122.0 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN111696601A | 公開(公告)日 | 2020-09-22 |
申請公布號 | CN111696601A | 申請公布日 | 2020-09-22 |
分類號 | G11C11/16(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I | 分類 | 信息存儲; |
發(fā)明人 | 毛欣;張源梁 | 申請(專利權(quán))人 | 蘇州思立特爾半導(dǎo)體科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 天津市北洋有限責(zé)任專利代理事務(wù)所 | 代理人 | 蘇州思立特爾半導(dǎo)體科技有限公司 |
地址 | 215000江蘇省蘇州市蘇州高新區(qū)科靈路78號軟件園3號樓306 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種基于磁性隧道結(jié)的位元結(jié)構(gòu),該位元結(jié)構(gòu)包括兩個MOS管、兩個磁性隧道結(jié)、一條字線、兩條源線以及兩條位線;進行數(shù)據(jù)寫入時,字線有效,位元結(jié)構(gòu)中的兩個MOS管共享源線與位線,兩個磁性隧道結(jié)MTJ上經(jīng)過穩(wěn)定的電流并持續(xù)一段時間;選取某一個MTJ作為存儲單元(另外一個作為參考單元),將數(shù)據(jù)寫入;進行數(shù)據(jù)讀出時,源線接地,兩個位線偏置電壓將兩端位線分別上拉,產(chǎn)生作為存儲單元的MTJ上電壓VMTJ1和作為參考單元的MTJ上電壓VMTJ2,將VMTJ1和VMTJ2接入比較器進行比較;得到數(shù)據(jù)讀出結(jié)果。本發(fā)明的一種基于磁性隧道結(jié)的位元電路及其讀出電路,具有實現(xiàn)簡單,讀出速度快的優(yōu)點。?? |
