全MOS電壓及溫度監(jiān)測方法及電路
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201910871214.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN110542849B | 公開(公告)日 | 2021-11-05 |
申請公布號 | CN110542849B | 申請公布日 | 2021-11-05 |
分類號 | G01R31/317(2006.01)I;G01R31/40(2014.01)I;G01K13/00(2021.01)I;G01R35/00(2006.01)I | 分類 | 測量;測試; |
發(fā)明人 | 徐肯 | 申請(專利權(quán))人 | 廣州粒子微電子有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京中索知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 胡大成 |
地址 | 510663廣東省廣州市黃埔區(qū)科學(xué)大道162號B2區(qū)902 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種全MOS電壓及溫度監(jiān)測方法和監(jiān)測電路,包括兩個環(huán)形振蕩器RO1和RO2、兩個時間/數(shù)字轉(zhuǎn)換器TDC1和TDC2、一個溫度映射模塊、一個電壓映射模塊、一個基準時鐘分頻器模塊以及兩個補償模塊。其中,基準時鐘是由晶體振蕩器提供,環(huán)形振蕩器RO1由core域電源電壓VDD_CORE供電,而環(huán)形振蕩器RO2由電池電壓VBAT供電?;鶞蕰r鐘經(jīng)分頻器后分別連接到TDC1和TDC2,TDC1和TDC2的輸出端分別連接到溫度映射模塊和電壓映射模塊。本發(fā)明能實現(xiàn)真正的全MOS,不需要增加額外的掩膜版,對PVT進行了有效的校準,提高了監(jiān)測的精度;本發(fā)明還具有結(jié)構(gòu)簡單、面積小、無靜態(tài)功耗的優(yōu)點。 |
