一種漏電保護(hù)型自舉采樣開(kāi)關(guān)電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201721206898.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN207200679U 公開(kāi)（公告）日 2018-04-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN207200679U 申請(qǐng)公布日 2018-04-06
分類號(hào) H03K17/22;H03K17/284;H03K17/16;H03K17/687 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 張莉莉;曹淑新 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 豪威模擬集成電路（北京）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京億騰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 代理人 英特格靈芯片（天津）有限公司
地址 300457 天津市濱海新區(qū)天津開(kāi)發(fā)區(qū)信環(huán)西路19號(hào)泰達(dá)服務(wù)外包園2號(hào)樓2701-1室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種漏電保護(hù)型自舉采樣開(kāi)關(guān)電路，包括：漏電保護(hù)型柵壓自舉電路、柵壓復(fù)位電路和NMOS開(kāi)關(guān)電路；所述漏電保護(hù)型柵壓自舉電路，包括漏電保護(hù)開(kāi)關(guān)；所述漏電保護(hù)開(kāi)關(guān)一端連接電源VDD，另一端連接MOS管，在時(shí)鐘為高電平期間斷開(kāi)所述電源VDD與所述MOS管的連接；所述NMOS開(kāi)關(guān)電路包括N型MOS管M9和M10；N型MOS管M9作為采樣開(kāi)關(guān)，其柵端電壓由漏電保護(hù)型柵壓自舉電路和柵壓復(fù)位電路控制；N型MOS管M10作為采樣開(kāi)關(guān)M9的DUMMY管，用來(lái)消除溝道注入電荷的影響，其柵端的控制時(shí)序與采樣開(kāi)關(guān)M9的柵端的控制時(shí)序相反，通過(guò)時(shí)鐘CLK經(jīng)過(guò)一段時(shí)間延時(shí)得到。本實(shí)用新型滿足較高要求的線性度，以及解決常用的自舉采樣開(kāi)關(guān)的漏電問(wèn)題。