雙半浮柵光電存儲器及其制備工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110720224.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113451428A 公開（公告）日 2021-09-28
申請公布號 CN113451428A 申請公布日 2021-09-28
分類號 H01L31/0224（2006.01）I;H01L31/113（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/792（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I;H01L21/34（2006.01）I;G11C11/42（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 丁士進;裴俊翔;吳小晗;張衛(wèi) 申請（專利權(quán)）人 上海集成電路制造創(chuàng)新中心有限公司
代理機構(gòu) 上海恒銳佳知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 黃海霞
地址 200433上海市楊浦區(qū)邯鄲路220號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種雙半浮柵光電存儲器，包括柵極、電荷阻擋層、電荷俘獲層、電荷隧穿層、有源溝道層、源電極和漏電極；所述電荷俘獲層包括第一電荷俘獲層和第二電荷俘獲層，設(shè)置于所述第一電荷俘獲層上表面的所述電荷隧穿層的厚度大于設(shè)置于所述第二電荷俘獲層的上表面的所述電荷隧穿層的厚度，使得在沒有單色光光照條件時所述雙半浮柵光電存儲器就能具有電脈沖編程特性，在不同波長光照下所述第一電荷俘獲層和所述第二電荷俘獲層產(chǎn)生不同的閾值電壓，且隨著柵極脈沖電壓的增加產(chǎn)生的閾值電壓都是隨之增加，且具有多級存儲特性和較好的數(shù)據(jù)保持特性，以及較好的編程耐受性和擦除耐受性。本發(fā)明還提供了所述雙半浮柵光電存儲器的制備工藝。