非易失性存儲器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110591322.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113380881A 公開（公告）日 2021-09-10
申請公布號 CN113380881A 申請公布日 2021-09-10
分類號 H01L29/423（2006.01）I;H01L29/792（2006.01）I;H01L21/34（2006.01）I;H01L21/44（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 丁士進;霍景永;熊文;吳小晗;張衛(wèi) 申請（專利權）人 上海集成電路制造創(chuàng)新中心有限公司
代理機構(gòu) 上海恒銳佳知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 黃海霞
地址 200433上海市楊浦區(qū)邯鄲路220號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種非易失性存儲器，包括源電極、漏電極、以及從下而上依次堆疊設置的柵極、電荷阻擋層、電荷俘獲層、電荷隧穿層和有源溝道層，所述源電極和所述漏電極分別設置于所述有源溝道層的兩側(cè)且包覆部分所述有源溝道層；所述電荷俘獲層包括若干N型氧化物半導體薄膜和若干P型氧化物半導體薄膜，所述N型氧化物半導體薄膜和所述P型氧化物半導體薄膜交替堆疊設置，使得不僅能同時實現(xiàn)電編程與擦除操作，以及具有良好的數(shù)據(jù)保持特性，而且有利于降低所述非易失性存儲器的操作電壓，提高電編程與擦除效率。本發(fā)明還提供了所述非易失性存儲器的制備方法。