動態(tài)隨機存取存儲器及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110720222.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113506775A 公開（公告）日 2021-10-15
申請公布號 CN113506775A 申請公布日 2021-10-15
分類號 H01L21/8242（2006.01）I;H01L27/108（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱寶;陳琳;孫清清;尹睿;張衛(wèi) 申請（專利權(quán)）人 上海集成電路制造創(chuàng)新中心有限公司
代理機構(gòu) 上海恒銳佳知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 黃海霞
地址 201203上海市浦東新區(qū)碧波路690號401-23室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種動態(tài)隨機存取存儲器，包括襯底、晶體管、介質(zhì)疊層、電容器和導(dǎo)電柱，所述晶體管設(shè)置于所述襯底的上表面，所述介質(zhì)疊層設(shè)置于所述襯底的上表面，且部分所述介質(zhì)疊層包覆所述晶體管，所述導(dǎo)電柱設(shè)有若干個，且所述導(dǎo)電柱分別與所述晶體管和所述電容器電接觸，所述電容器設(shè)置于所述介質(zhì)疊層，且所述電容器的底部與所述襯底的上表面的最小軸向距離大于0，使得降低了半導(dǎo)體襯底對電容器的電學(xué)干擾，從而可以增大電容器的品質(zhì)因子，減少漏電流，避免了動態(tài)隨機存取存儲器占據(jù)較大空間，保證了動態(tài)隨機存取存儲器具有較大的存儲密度。本發(fā)明提供了所述動態(tài)隨機存取存儲器的制作方法。