片上固態(tài)超級(jí)電容及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110815093.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113436904A | 公開（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113436904A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-09-24 |
| 分類號(hào) | H01G11/30（2013.01）I;H01G11/02（2013.01）I;H01G11/86（2013.01）I;H01G11/84（2013.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 朱寶;尹睿;張衛(wèi) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海集成電路制造創(chuàng)新中心有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海恒銳佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 黃海霞 |
| 地址 | 201203上海市浦東新區(qū)碧波路690號(hào)401-23室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種片上固態(tài)超級(jí)電容，包括結(jié)構(gòu)相同且對(duì)稱設(shè)置的第一電極和第二電極，所述第一電極包括硅襯底、至少兩個(gè)硅納米柱、金屬硅化物層、TiVN薄膜、導(dǎo)電柱以及凝膠層，所述硅納米柱設(shè)置于所述硅襯底上，且所述硅納米柱之間互不接觸，所述金屬硅化物層覆蓋于所述硅納米柱和所述襯底上，所述TiVN薄膜覆蓋于所述金屬硅化物層上，所述凝膠層覆蓋于所述TiVN薄膜上，所述導(dǎo)電柱設(shè)置于任意一個(gè)所述納米柱背向所述硅襯底一面上的金屬硅化物層上，且所述導(dǎo)電柱不被所述TiVN薄膜和所述凝膠層覆蓋，降低了功率損失，且降低了成本，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單便于制備，同時(shí)增強(qiáng)了循環(huán)的穩(wěn)定性。本發(fā)明還提供了一種片上固態(tài)超級(jí)電容的制備方法。 |
