一種離子注入裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510419657.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN105006417B 公開（公告）日 2017-06-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN105006417B 申請(qǐng)公布日 2017-06-13
分類號(hào) H01J37/317(2006.01)I;H01J37/30(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周向前;瞿鑫 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 百及納米科技（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京潤(rùn)平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 羅攀;肖冰濱
地址 100083 北京市海淀區(qū)學(xué)院路30號(hào)天工大廈B座1408室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及電子器件領(lǐng)域，公開了一種離子注入裝置，包括：離子源，其用于產(chǎn)生并發(fā)射離子束；以及第一電極裝置，其設(shè)置在離子源到樣品的路徑上，用于產(chǎn)生沿所述離子源的中軸線方向分布的錐形電場(chǎng)，并使所述離子束中不沿離子源的中軸線方向運(yùn)動(dòng)的離子在該錐形電場(chǎng)的作用下沿垂直于所述中軸線的方向偏轉(zhuǎn)而不注入樣品。此外，還在所述第一電極裝置的下游設(shè)置有第二電極裝置，用于產(chǎn)生輔助離子偏轉(zhuǎn)的電場(chǎng)，該電場(chǎng)被施加時(shí)，沿中軸線方向的離子發(fā)生偏轉(zhuǎn)而不注入樣品，而該電場(chǎng)不被施加時(shí)，沿中軸線方向的離子穿過第二電極裝置并注入到樣品。本發(fā)明通過錐形電場(chǎng)進(jìn)行離子束稀釋，通過橫向電場(chǎng)形成離子閘門，以實(shí)現(xiàn)少量離子甚至單離子的注入。