亞納米級高精度光刻寫場拼接方法、所用光刻機系統(tǒng)、晶圓及電子束漂移的測定方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010533718.2 申請日 -
公開（公告）號 CN111983899A 公開（公告）日 2020-11-24
申請公布號 CN111983899A 申請公布日 2020-11-24
分類號 G03F7/20(2006.01)I 分類 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)〔4〕;
發(fā)明人 周向前;伊沃·朗格諾 申請（專利權(quán)）人 百及納米科技（上海）有限公司
代理機構(gòu) 廣州市一新專利商標事務所有限公司 代理人 百及納米科技（上海）有限公司
地址 201210上海市浦東新區(qū)納賢路60號5號樓5102室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種亞納米級高精度光刻寫場拼接方法、所用光刻機系統(tǒng)、晶圓及電子束漂移的測定方法。在待光刻的晶圓表面上涂有光敏膠層。光敏膠層表面曝光后，其曝光圖形會產(chǎn)生微小的凹凸結(jié)構(gòu)。用納米觸點傳感器可以識別這些凹凸結(jié)構(gòu)圖形并用其作為原位對準坐標標識。通過對曝光前后，晶圓移動前后，寫場的位置坐標比較，計算出拼接的偏差，以負反饋控制方式進行晶圓的高精度光刻拼接，克服了現(xiàn)有非原位、遠離寫場、盲人式開環(huán)光刻拼接技術(shù)受晶圓工作臺機械運動精度、電子束長時間漂移的影響而拼接精度差的缺陷，突破了現(xiàn)有技術(shù)嚴重依賴光刻機系統(tǒng)晶圓工作臺數(shù)控精度的瓶頸，提供了一種新型的可達亞納米級精度的光刻寫場拼接方法、電子束漂移測定方法、光刻機系統(tǒng)及晶圓。??