一種用于藍(lán)寶石單晶生長(zhǎng)的高純氧化鋁燒結(jié)體的制備方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201210061392.3 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN102603273B | 公開(公告)日 | 2013-12-18 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN102603273B | 申請(qǐng)公布日 | 2013-12-18 |
分類號(hào) | C30B29/20(2006.01)I;C04B35/10(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
發(fā)明人 | 張海霞;車永軍;任雷 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 錦州晶城三維鑄造有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 錦州遼西專利事務(wù)所 | 代理人 | 李輝 |
地址 | 遼寧省錦州市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)錦港大街 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種用于藍(lán)寶石單晶生長(zhǎng)的高純氧化鋁燒結(jié)體的制備方法,以高純氧化鋁為原料用造粒機(jī)制備氧化鋁顆粒,放入盛料坩堝里,通過高頻等離子加熱裝置對(duì)氧化鋁顆粒燒結(jié),得到高純氧化鋁燒結(jié)體。其優(yōu)點(diǎn)是:高純氧化鋁在造粒、燒結(jié)過程中不引入其他雜質(zhì),不需添加粘結(jié)劑,避免了二次污染;采用高頻等離子加熱裝置,設(shè)備成本低,生產(chǎn)效率高,避免了爐體的保溫材料和發(fā)熱材料的揮發(fā)物對(duì)氧化鋁的污染;制得氧化鋁燒結(jié)體堆積密度為3.7g/cm3~4.1g/cm3,純度為99.999%~99.9999%,為泡生法生長(zhǎng)藍(lán)寶石單晶提供原料,可得到高品質(zhì)和低缺陷密度的藍(lán)寶石晶體。 |
