一種用于藍寶石單晶生長的高純氧化鋁燒結(jié)體的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210061392.3 申請日 -
公開（公告）號 CN102603273B 公開（公告）日 2013-12-18
申請公布號 CN102603273B 申請公布日 2013-12-18
分類號 C30B29/20(2006.01)I;C04B35/10(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 張海霞;車永軍;任雷 申請（專利權(quán)）人 錦州晶城三維鑄造有限公司
代理機構(gòu) 錦州遼西專利事務(wù)所 代理人 李輝
地址 遼寧省錦州市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)錦港大街
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種用于藍寶石單晶生長的高純氧化鋁燒結(jié)體的制備方法，以高純氧化鋁為原料用造粒機制備氧化鋁顆粒，放入盛料坩堝里，通過高頻等離子加熱裝置對氧化鋁顆粒燒結(jié)，得到高純氧化鋁燒結(jié)體。其優(yōu)點是：高純氧化鋁在造粒、燒結(jié)過程中不引入其他雜質(zhì)，不需添加粘結(jié)劑，避免了二次污染；采用高頻等離子加熱裝置，設(shè)備成本低，生產(chǎn)效率高，避免了爐體的保溫材料和發(fā)熱材料的揮發(fā)物對氧化鋁的污染；制得氧化鋁燒結(jié)體堆積密度為3.7g/cm3～4.1g/cm3，純度為99.999%～99.9999%，為泡生法生長藍寶石單晶提供原料，可得到高品質(zhì)和低缺陷密度的藍寶石晶體。