去除氮化鎵表面污染物的方法及氮化鎵基材

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110424840.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113231386A 公開(kāi)（公告）日 2021-08-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN113231386A 申請(qǐng)公布日 2021-08-10
分類(lèi)號(hào) B08B3/08（2006.01）I;B08B7/00（2006.01）I;B08B3/12（2006.01）I;B08B3/10（2006.01）I;B08B3/02（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01L29/20（2006.01）I 分類(lèi) 清潔;
發(fā)明人 劉婷 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 南京納科半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州中合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 羅楠
地址 210000江蘇省南京市浦口區(qū)江浦街道鳳凰大街10號(hào)-NK0001
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種去除氮化鎵表面污染物的方法及氮化鎵基材，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，去除氮化鎵表面污染物的方法包括以下步驟：將預(yù)清洗的氮化鎵樣品浸入清洗液中浸泡，所述清洗液為雙氧水和堿液的混合溶液；將浸泡結(jié)束后的氮化鎵樣品取出、沖洗、干燥；將干燥后的氮化鎵樣品在混合氣氛中熱處理，所述混合氣氛由氮?dú)?、氫氣和氨氣組成。本發(fā)明通過(guò)雙氧水和堿液的混合溶液刻蝕掉氮化鎵表面的硅污染物，并形成均勻的致密氧化薄膜，防止氮化鎵表面再次被空氣中的硅雜質(zhì)污染；再在混合氣氛下處理氮化鎵樣品，可以使氮化鎵表面的氧化薄膜分解，得到原子級(jí)清潔的氮化鎵表面，以利于后續(xù)的二次外延生長(zhǎng)，可以減少漏電流現(xiàn)象，提升氮化鎵器件的可靠性。