芯片及固態(tài)納米孔微陣列裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202023338736.X 申請日 -
公開（公告）號 CN214183159U 公開（公告）日 2021-09-14
申請公布號 CN214183159U 申請公布日 2021-09-14
分類號 B01L3/00（2006.01）I;B81C1/00（2006.01）I;B81B1/00（2006.01）I;B82Y30/00（2011.01）I;B82Y40/00（2011.01）I;C12Q1/6869（2018.01）I 分類 一般的物理或化學(xué)的方法或裝置;
發(fā)明人 凌新生;曹銘 申請（專利權(quán)）人 蘇州羅島納米科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 常亮
地址 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)若水路398號中科院納米所D棟918室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種芯片及固態(tài)納米孔微陣列裝置，芯片包括SOI硅片和掩膜層；SOI硅片包括埋氧層、頂面硅層和底面硅層，掩膜層分別沉積在頂面硅層和底面硅層上；掩膜層上分別蝕刻有露出頂面硅層和底面硅層的軌跡線，每個掩膜層上的軌跡線的條數(shù)至少為2條；沿著軌跡線，頂面硅層和底面硅層上分別腐蝕形成露出埋氧層的V形槽；埋氧層上位于頂面硅層和底面硅層的V形槽交匯處腐蝕有納米孔，避免了TEM/HIM打孔的步驟，簡化了芯片制備步驟，降低了成本。芯片上陣列有多個納米孔，采用相同的微流控通道和膜片鉗設(shè)備，一次就可以完成單孔芯片數(shù)次才能完成的測試任務(wù)，大大提高了測試效率，提高了測試通量。