一種DNA堿基序列檢測的雙層SiN納米孔結(jié)構(gòu)的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610256247.9 申請日 -
公開（公告）號 CN105776127B 公開（公告）日 2017-05-03
申請公布號 CN105776127B 申請公布日 2017-05-03
分類號 B81C1/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 凌新生;袁志山 申請（專利權(quán)）人 南京羅島納米科技有限公司
代理機構(gòu) 南京蘇高專利商標事務(wù)所（普通合伙） 代理人 東南大學(xué);南京羅島納米科技有限公司
地址 210096 江蘇省南京市四牌樓2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種DNA堿基序列檢測的雙層SiN納米孔結(jié)構(gòu)及其制作方法。包括：首先提供一硅基體作為基板；在基體兩側(cè)表面通過LP?CVD工藝沉積由3層納米薄膜組成的結(jié)構(gòu)層，從基體向上分別為SiN/SiO2/SiN；接著使用LP?CVD工藝在所述結(jié)構(gòu)層表面沉積犧牲層；刻蝕基體一側(cè)所述結(jié)構(gòu)層和所述犧牲層形成基體釋放窗口；接著使用堿性溶液刻蝕所述硅基體得到由所述結(jié)構(gòu)層和所述犧牲層組成的自支撐納米薄膜?？涛g掉所述自支撐納米薄膜上方的犧牲層，得到懸空所述結(jié)構(gòu)層。接著，使用氦離子束在懸空所述結(jié)構(gòu)層上刻蝕出納米通孔。最后使用緩沖過的氫氟酸刻蝕所述結(jié)構(gòu)層中的SiO2得到由SiO2空腔分割開的雙層SiN納米孔結(jié)構(gòu)。本發(fā)明工藝簡單，與CMOS工藝的兼容使其有較好的擴展性，同時可以重復(fù)循環(huán)使用，在生化檢測領(lǐng)域有著較廣的使用前景。