一種石墨烯場致發(fā)射源的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111198934.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113943932A 公開（公告）日 2022-01-18
申請公布號 CN113943932A 申請公布日 2022-01-18
分類號 C23C16/26（2006.01）I;C23C16/44（2006.01）I;C23C16/56（2006.01）I;C23C16/02（2006.01）I;C23C8/20（2006.01）I;H01J9/02（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 黃世耀;羅理;石雷;樓洪四;汪強(qiáng);李騰;秦春林 申請（專利權(quán)）人 重慶信合啟越科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 重慶樂泰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張麗楠
地址 401329重慶市九龍坡區(qū)鳳笙路15號6幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明的目的在于提供一種石墨烯場致發(fā)射源的制備方法，本方法通過高溫將含碳?xì)怏w中的碳原子溶解到金屬材料之中，通過階段性降溫的過程將碳析出到金屬表面形成石墨烯層，并且對碳源濃度和降溫過程的控制可以實(shí)現(xiàn)對石墨烯層厚度與規(guī)模的控制，石墨烯與其金屬基底結(jié)合更加的緊密，兩者之間電阻遠(yuǎn)小于通過轉(zhuǎn)移后制備的發(fā)射體，在大電流通過結(jié)合部位時發(fā)熱量更小，同時發(fā)射尖端露出的金屬基底可以有效接收靶材反射的二次電子等，減少石墨烯發(fā)射尖端由于電子或離子回轟造成的損傷。在使用本方法制備的石墨烯場致發(fā)射源可以有效的提高陰極的發(fā)射電流密度，具有很低的開啟場和閾值場，穩(wěn)定性好的特點(diǎn)；同時，其制備方法簡單、能耗低、易于實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)；在制成發(fā)射部件后功率更高，穩(wěn)定性更好，壽命更長。