用于半導體太陽能鍍膜的工藝腔室

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010163297.5 申請日 -
公開（公告）號 CN101812676B 公開（公告）日 2012-07-25
申請公布號 CN101812676B 申請公布日 2012-07-25
分類號 C23C16/455(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 張浩 申請（專利權）人 江蘇綜藝光伏有限公司
代理機構 南京經(jīng)緯專利商標代理有限公司 代理人 張惠忠
地址 226300 江蘇省通州市興東鎮(zhèn)綜藝數(shù)碼城
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種用于半導體太陽能鍍膜的工藝腔室，包括腔壁、氣體注射器、承受器以及支撐架，氣體注射器設置在腔壁的上端，承受器設置在氣體注射器的下端，其特征在于：還包括一支撐栓底板，該支撐栓底板設置在承受器的下端，在所述的支撐栓底板上設置有至少三個支撐栓，該至少三個支撐栓用于支撐一平面構件，在所述的承受器上設置有支撐栓孔，所述的承受器套在所述的支撐栓上。本發(fā)明在工藝腔室內增加了支撐架，并采用支撐架上的支撐栓對加熱的玻璃進行支撐，支撐栓采用點接觸，且比較分散，同時，支撐點也不局限于邊緣，因而玻璃放在支撐栓上后，熱傳遞慢且傳遞量小，玻璃表面溫差小，因此，鍍膜時，玻璃的鍍層較為均勻，色差小。