一種二極管芯片酸洗工藝
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201410651917.8 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN104399702B | 公開(公告)日 | 2017-01-18 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN104399702B | 申請(qǐng)公布日 | 2017-01-18 |
分類號(hào) | B08B3/08(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 分類 | 清潔; |
發(fā)明人 | 蔡彤;張練佳;賁海蛟;梅余鋒 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 江蘇宏錦建設(shè)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京一格知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 如皋市易達(dá)電子有限責(zé)任公司;楊佳偉;江蘇新東亞建設(shè)有限公司 |
地址 | 226500 江蘇省南通市如皋市搬經(jīng)鎮(zhèn)群岸村7組 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種二極管芯片酸洗工藝,所述工藝依次為一次酸洗、二次酸洗、氨水與雙氧水清洗及水超聲清洗,其中一次酸洗清洗時(shí)間110?125s,二次酸洗清洗時(shí)間70?78s;所述一次酸洗的清洗液為HNO3、HF、CH3COOH和H2SO4的混合液,所述二次酸洗的清洗液為H3PO4、H2O2、H2O和CH3COOH的混合液;所述一次酸洗液中HNO3:HF:CH3COOH和H2SO4的體積比為9:9:12:4;所述二次酸洗液中H3PO4、H2O2、H2O和CH3COOH的體積比為1:0.8:3:0.2。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:本發(fā)明的酸洗工藝中,在二次酸洗液中加入了冰醋酸,利用冰醋酸溶解掉混合酸洗中生成物硫酸鉛,避免硫酸鉛會(huì)吸附到芯片的側(cè)面,提高了二極管芯片的電性能。 |
