一種功率半導(dǎo)體器件縱向超結(jié)漂移區(qū)結(jié)構(gòu)的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201380082039.6 申請日 -
公開（公告）號 CN106030811A 公開（公告）日 2019-04-26
申請公布號 CN106030811A 申請公布日 2019-04-26
分類號 H01L29/78;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李澤宏;宋文龍;宋洵奕;顧鴻鳴;鄒有彪;張金平;張波 申請（專利權(quán)）人 東莞電子科技大學(xué)電子信息工程研究院
代理機構(gòu) 成都點睛專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 葛啟函
地址 611731 四川省成都市高新西區(qū)西源大道2006號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種功率半導(dǎo)體器件縱向超結(jié)漂移區(qū)結(jié)構(gòu)的制作方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)，制作方法包括：以P+單晶硅片為襯底（11），首先在P+單晶硅襯底（11）表面外延生長P型層（12），然后在P型層（12）表面通過外延或離子注入并推阱形成一層N型層（13），其中P型層（12）是超結(jié)部分的耐壓層，N型層（13）是器件正面MOS部分的形成區(qū)域，在器件正面工藝完成后進行背面減薄，通過背面氫離子的多次選擇性注入以及低溫退火，形成超結(jié)結(jié)構(gòu)中的N柱區(qū)（25）。本發(fā)明的有益效果為，制作方法簡單，降低了制造工藝難度，減少了制造成本，尤其適用于功率半導(dǎo)體器件縱向超結(jié)漂移區(qū)結(jié)構(gòu)的制作。