一種薄膜傳感器用復(fù)合絕緣層及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610524876.5 申請日 -
公開（公告）號 CN105970168B 公開（公告）日 2018-07-27
申請公布號 CN105970168B 申請公布日 2018-07-27
分類號 C23C14/34;C23C14/30;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/58;G01D21/02 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 趙曉輝;李海濤;蔣洪川;張萬里 申請（專利權(quán)）人 東莞電子科技大學(xué)電子信息工程研究院
代理機(jī)構(gòu) 電子科技大學(xué)專利中心 代理人 吳姍霖
地址 611731 四川省成都市高新區(qū)(西區(qū))西源大道2006號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種薄膜傳感器用復(fù)合絕緣層，屬于薄膜傳感器技術(shù)領(lǐng)域。包括四層結(jié)構(gòu)，自下而上依次為非晶Al?O?N擴(kuò)散阻擋層、Al?O?N至Al2O3過渡層、電子束蒸發(fā)Al2O3薄膜層、微晶Al2O3氧擴(kuò)散阻擋層。本發(fā)明復(fù)合絕緣層中的非晶Al?O?N薄膜致密性好且呈非晶狀態(tài)，對金屬原子具有良好的擴(kuò)散阻擋效果；過渡層能有效改善非晶Al?O?N層與Al2O3層間的附著力；Al2O3薄膜層之上的微晶層在高溫下能有效阻止外界氧原子擴(kuò)散進(jìn)入Al?O?N層，保持了高溫富氧環(huán)境中Al?O?N薄膜的非晶狀態(tài)，使得復(fù)合絕緣層在高溫富氧的工作環(huán)境中依然具有良好的絕緣性，有效保證了薄膜傳感器在高溫環(huán)境中的穩(wěn)定性和使用壽命。