一種雙向MOS型器件及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201480075122.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN105993076B | 公開（公告）日 | 2019-03-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN105993076B | 申請(qǐng)公布日 | 2019-03-01 |
| 分類號(hào) | H01L29/78;H01L21/336 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張金平;李澤宏;劉競(jìng)秀;任敏;張波;李肇基 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 東莞電子科技大學(xué)電子信息工程研究院 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 葛啟函 |
| 地址 | 611731 四川省成都市高新西區(qū)西源大道2006號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種雙向MOS型器件及其制造方法，屬于功率半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。所述器件在有源區(qū)上層兩端具有對(duì)稱的平面柵MOS結(jié)構(gòu)，在對(duì)稱的平面柵MOS結(jié)構(gòu)之間具有U型復(fù)合漂移區(qū)，所述U型復(fù)合漂移區(qū)沿元胞中心左右對(duì)稱。本發(fā)明通過(guò)形成的具有對(duì)稱特性的U型復(fù)合漂移區(qū)，在一定的元胞寬度下可獲得高的器件擊穿電壓和低的導(dǎo)通壓降/電阻特性，是一種雙向?qū)ΨQ的電場(chǎng)截止型器件；在IGBT工作模式時(shí)，是一種具有載流子存儲(chǔ)層和場(chǎng)截止層的IGBT器件，在MOS工作模式時(shí)，是一種具有減小漂移區(qū)電阻高摻雜層和場(chǎng)截止層的MOS器件；通過(guò)所述U型復(fù)合漂移區(qū)的復(fù)合作用，本發(fā)明結(jié)構(gòu)不會(huì)發(fā)生器件的橫向和縱向穿通擊穿，具有高的單位漂移區(qū)長(zhǎng)度耐壓，并具有低的導(dǎo)通壓降/電阻特性。 |
