一種帶復(fù)合絕緣層的金屬基薄膜傳感器及其制備方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201510104153.5 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN104726862B | 公開(kāi)(公告)日 | 2018-06-19 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN104726862B | 申請(qǐng)公布日 | 2018-06-19 |
分類號(hào) | C23C28/00;C23C14/35 | 分類 | 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 趙曉輝;王亦然;楊柯;蔣書(shū)文;蔣洪川;熊杰;張萬(wàn)里 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 東莞電子科技大學(xué)電子信息工程研究院 |
代理機(jī)構(gòu) | 電子科技大學(xué)專利中心 | 代理人 | 李明光 |
地址 | 611731 四川省成都市高新區(qū)(西區(qū))西源大道2006號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提出了一種帶復(fù)合絕緣層的金屬基薄膜傳感器及其制備方法,屬于薄膜傳感器的設(shè)計(jì)及制備技術(shù)領(lǐng)域。所述帶復(fù)合絕緣層的金屬基薄膜傳感器從下往上依次為合金基板、NiCrAlY合金過(guò)渡層、Al2O3熱生長(zhǎng)層、非晶YAlO過(guò)渡層、Al2O3絕緣層、薄膜傳感器功能層、Al2O3保護(hù)層,其中,非晶YAlO過(guò)渡層為氧化釔和氧化鋁組成的非晶YAlO薄膜,氧化釔與氧化鋁的摩爾比為1:(1~20)。本發(fā)明的非晶YAlO過(guò)渡層能改善薄膜傳感器絕緣層的附著力和絕緣性能,降低器件的失效幾率,為薄膜傳感器在高溫惡劣的環(huán)境中工作提供了更高的可靠性。 |
