一種射頻LDMOS晶體管及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510290509.9 申請日 -
公開（公告）號 CN104992978B 公開（公告）日 2018-11-23
申請公布號 CN104992978B 申請公布日 2018-11-23
分類號 H01L29/78;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄧小川;梁坤元;甘志;蕭寒;李妍月;張波 申請（專利權）人 東莞電子科技大學電子信息工程研究院
代理機構(gòu) 成都點睛專利代理事務所（普通合伙） 代理人 葛啟函
地址 611731 四川省成都市高新區(qū)（西區(qū)）西源大道2006號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于半導體技術領域，特別涉及一種射頻LDMOS晶體管及其制造方法。本發(fā)明的技術方案，主要為將傳統(tǒng)的LDMOS法拉第罩設置為多段結(jié)構(gòu)，分段后的金屬相互獨立，從而使靠近漏端處的金屬塊浮空，能夠改善浮空后金屬與其下面漂移區(qū)的電勢差，從而降低靠近漏端邊緣的電場峰值，提高擊穿電壓。本發(fā)明的有益效果為，能夠有效改善N型輕摻雜漂移區(qū)的電場分布，使之更加均勻，從而可以在保持擊穿電壓不變條件下提高漂移區(qū)摻雜濃度，降低導通電阻。本發(fā)明尤其適用于射頻LDMOS晶體管及其制造。