p型單晶硅片的表面處理方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200610054245.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN100497763C 公開(kāi)（公告）日 2009-06-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN100497763C 申請(qǐng)公布日 2009-06-10
分類號(hào) C30B33/10(2006.01)I;C09K11/59(2006.01)I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 黎學(xué)明;劉成倫;王力春;黃輝;聶福德;黃亨健 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 重慶蘭花太陽(yáng)能電力股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 重慶大學(xué)專利中心 代理人 重慶大學(xué)
地址 400044重慶市沙坪壩區(qū)沙正街174號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種p型單晶硅片的表面處理方法，用于全硅光電子器件、傳感器、生物醫(yī)學(xué)和功能材料等領(lǐng)域。本發(fā)明包括p型單晶硅片的前處理、電化學(xué)陽(yáng)極氧化法制備p型多孔單晶硅片，然后對(duì)p型多孔單晶硅片進(jìn)行后處理，得到具有發(fā)光強(qiáng)度高且在空氣中長(zhǎng)期存放發(fā)光不衰減，峰位不藍(lán)移的p型多孔單晶硅片。