p型單晶硅片的表面處理方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200610054245.8 申請日 -
公開（公告）號 CN100497763C 公開（公告）日 2009-06-10
申請公布號 CN100497763C 申請公布日 2009-06-10
分類號 C30B33/10(2006.01)I;C09K11/59(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 黎學(xué)明;劉成倫;王力春;黃輝;聶福德;黃亨健 申請（專利權(quán)）人 重慶蘭花太陽能電力股份有限公司
代理機構(gòu) 重慶大學(xué)專利中心 代理人 重慶大學(xué)
地址 400044重慶市沙坪壩區(qū)沙正街174號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種p型單晶硅片的表面處理方法，用于全硅光電子器件、傳感器、生物醫(yī)學(xué)和功能材料等領(lǐng)域。本發(fā)明包括p型單晶硅片的前處理、電化學(xué)陽極氧化法制備p型多孔單晶硅片，然后對p型多孔單晶硅片進行后處理，得到具有發(fā)光強度高且在空氣中長期存放發(fā)光不衰減，峰位不藍移的p型多孔單晶硅片。