一種鈍化接觸結(jié)構(gòu)制備方法和具有鈍化接觸結(jié)構(gòu)的晶體硅

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110130675.8 申請日 -
公開（公告）號 CN112768565A 公開（公告）日 2021-05-07
申請公布號 CN112768565A 申請公布日 2021-05-07
分類號 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/068(2012.01)I 分類 -
發(fā)明人 杜哲仁;趙影文;楊俊楠;張志郢;季根華 申請（專利權(quán)）人 泰州中來光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京金之橋知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 袁芳;耿璐璐
地址 225500江蘇省泰州市姜堰經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)開陽路
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種鈍化接觸結(jié)構(gòu)制備方法，在晶體硅上形成SiOx/AlOx/p?poly的三層式鈍化接觸結(jié)構(gòu)，包括：S1:對晶體硅片進(jìn)行預(yù)處理；S2:在預(yù)處理后的晶體硅片表面制備AlOx薄膜；S3:在制備完AlOx薄膜的晶體硅片表面再制備非晶硅薄膜，非晶硅薄膜為本征非晶硅薄膜或摻硼非晶硅薄膜；S4:對本征非晶硅薄膜進(jìn)行硼摻雜處理，本征非晶硅薄膜形成p?poly層，借助硼摻雜處理中的退火過程，通入過量氧氣，在AlOx薄膜下方的晶體硅上形成一層致密SiOx層；或?qū)脚鸱蔷Ч璞∧みM(jìn)行退火處理，摻硼非晶硅薄膜形成p?poly層，借助退火過程，通入過量氧氣，在AlOx薄膜下方的晶體硅上形成一層致密SiOx層；S5:清洗BSG。按本發(fā)明鈍化接觸結(jié)構(gòu)制備方法，可省去單獨(dú)制備SiOx層的工序，且?guī)ж?fù)電荷AlOx薄膜的存在可增強(qiáng)p?poly硅的載流子選擇性，從而增強(qiáng)鈍化效果。??