一種鈍化接觸結(jié)構(gòu)制備方法和具有鈍化接觸結(jié)構(gòu)的晶體硅
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110130675.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112768565A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-05-07 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112768565A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-05-07 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/068(2012.01)I | 分類(lèi) | - |
| 發(fā)明人 | 杜哲仁;趙影文;楊俊楠;張志郢;季根華 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 泰州中來(lái)光電科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京金之橋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 袁芳;耿璐璐 |
| 地址 | 225500江蘇省泰州市姜堰經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)開(kāi)陽(yáng)路 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種鈍化接觸結(jié)構(gòu)制備方法，在晶體硅上形成SiOx/AlOx/p?poly的三層式鈍化接觸結(jié)構(gòu)，包括：S1:對(duì)晶體硅片進(jìn)行預(yù)處理；S2:在預(yù)處理后的晶體硅片表面制備AlOx薄膜；S3:在制備完AlOx薄膜的晶體硅片表面再制備非晶硅薄膜，非晶硅薄膜為本征非晶硅薄膜或摻硼非晶硅薄膜；S4:對(duì)本征非晶硅薄膜進(jìn)行硼摻雜處理，本征非晶硅薄膜形成p?poly層，借助硼摻雜處理中的退火過(guò)程，通入過(guò)量氧氣，在AlOx薄膜下方的晶體硅上形成一層致密SiOx層；或?qū)脚鸱蔷Ч璞∧みM(jìn)行退火處理，摻硼非晶硅薄膜形成p?poly層，借助退火過(guò)程，通入過(guò)量氧氣，在AlOx薄膜下方的晶體硅上形成一層致密SiOx層；S5:清洗BSG。按本發(fā)明鈍化接觸結(jié)構(gòu)制備方法，可省去單獨(dú)制備SiOx層的工序，且?guī)ж?fù)電荷AlOx薄膜的存在可增強(qiáng)p?poly硅的載流子選擇性，從而增強(qiáng)鈍化效果。?? |
