一種去除正面多晶硅繞鍍的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010163577.X 申請日 -
公開（公告）號 CN111341881B 公開（公告）日 2021-08-20
申請公布號 CN111341881B 申請公布日 2021-08-20
分類號 H01L31/18（2006.01）I;H01L31/068（2012.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳嘉;展士飛;陳程;邱軍輝;陸佳;劉志鋒;林建偉 申請（專利權(quán)）人 泰州中來光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京金之橋知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李托弟
地址 225500江蘇省泰州市姜堰經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)開陽路6號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種去除正面多晶硅繞鍍的方法。包括：（1）、對硅片正面進(jìn)行硼擴(kuò)散，形成p+發(fā)射極、正面硼硅玻璃層；（2）、刻蝕硅片背面，將背面刻蝕成平面，去除背面和四周硼摻雜層、硼硅玻璃層，去除正面硼硅玻璃層；（3）、在硅片背面生長隧穿氧化層和本征非晶硅層，在硅片正面邊緣區(qū)域形成正面繞鍍多晶硅層；（4）、在本征非晶硅層上離子注入，形成磷硅玻璃層，并退火，形成摻磷多晶硅層；（5）、在摻磷多晶硅層上鍍氮化硅層；（6）將硅片置于堿與單晶添加劑的混合溶液中，去除正面繞鍍多晶硅層；（7）在硅片兩面均鍍氧化鋁層，并在正面氧化鋁層上鍍鈍化減反膜層。本發(fā)明可以很好地控制堿繞鍍?nèi)芤褐袎A液和繞鍍多晶硅的反應(yīng)速率，增加反應(yīng)窗口。