N-TOPCon太陽(yáng)能電池、組件、系統(tǒng)及電池中制備雙面氧化硅的方法、設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110322400.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113193074A 公開(kāi)（公告）日 2021-07-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN113193074A 申請(qǐng)公布日 2021-07-30
分類(lèi)號(hào) H01L31/18（2006.01）I;H01L31/0216（2014.01）I;H01L31/068（2012.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 杜哲仁;崔義乾;黃健;喬振聰;陳嘉;劉榮林 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 泰州中來(lái)光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京金之橋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐李娜;鄧俊勇
地址 225500江蘇省泰州市姜堰經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)開(kāi)陽(yáng)路
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種N?TOPCon太陽(yáng)能電池、組件、系統(tǒng)及電池中制備雙面氧化硅的方法、設(shè)備，其中方法包括：步驟S1.以N型硅作為襯底，在N型硅的正面制備p+摻雜區(qū)域；步驟S2.在N型硅的正面制備氧化硅薄膜，同時(shí)在N型硅的背面制備隧穿氧化層；步驟S3.在N型硅的背面制備摻磷多晶硅；步驟S4.在N型硅的正面和背面制備鈍化膜后印刷金屬電極。本發(fā)明在保證潔凈度的同時(shí)，減少工序，解決N?TOPCon工序多的問(wèn)題，增強(qiáng)N?TOPCon的核心競(jìng)爭(zhēng)力。