一種基于反應(yīng)離子刻蝕法制備黑硅鈍化接觸電池的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011371342.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112509919A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-03-16 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112509919A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-16 |
| 分類號(hào) | H01L21/3065(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 杜哲仁;陳程;包杰;馬麗敏;陳嘉;林建偉 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 泰州中來(lái)光電科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京金之橋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 李托弟;耿璐璐 |
| 地址 | 225500江蘇省泰州市姜堰經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)開(kāi)陽(yáng)路6號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種基于反應(yīng)離子刻蝕法制備黑硅鈍化接觸電池的方法。該方法包括：S1、對(duì)N型單晶硅進(jìn)行結(jié)構(gòu)化處理，形成金字塔結(jié)構(gòu)，對(duì)處理后的硅片硅基體的背面依次形成隧穿氧化層和多晶硅層，同時(shí)在N型單晶硅基體的正面形成含有多晶硅繞鍍的第一區(qū)域和不含多晶硅繞鍍的第二區(qū)域；S2、對(duì)硅基體進(jìn)行摻雜和退火處理，以使得硅基體背面的多晶硅層變?yōu)楸砻娓采w有含磷氧化層的摻磷多晶硅層，同時(shí)在硅基體正面的含有多晶硅繞鍍的第一區(qū)域和不含多晶硅繞鍍的第二區(qū)域上均形成薄氧化層；S3、對(duì)硅基體的正面進(jìn)行反應(yīng)離子刻蝕，以去除電池正面的多晶硅繞度，同時(shí)在電池正面的微米級(jí)的金字塔結(jié)構(gòu)上形成納米級(jí)孔洞結(jié)構(gòu)；S3、對(duì)硅基體進(jìn)行后處理。?? |
