一種基于反應(yīng)離子刻蝕法制備黑硅鈍化接觸電池的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011371342.6 申請日 -
公開（公告）號 CN112509919A 公開（公告）日 2021-03-16
申請公布號 CN112509919A 申請公布日 2021-03-16
分類號 H01L21/3065(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 杜哲仁;陳程;包杰;馬麗敏;陳嘉;林建偉 申請（專利權(quán)）人 泰州中來光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京金之橋知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李托弟;耿璐璐
地址 225500江蘇省泰州市姜堰經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)開陽路6號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種基于反應(yīng)離子刻蝕法制備黑硅鈍化接觸電池的方法。該方法包括：S1、對N型單晶硅進(jìn)行結(jié)構(gòu)化處理，形成金字塔結(jié)構(gòu)，對處理后的硅片硅基體的背面依次形成隧穿氧化層和多晶硅層，同時在N型單晶硅基體的正面形成含有多晶硅繞鍍的第一區(qū)域和不含多晶硅繞鍍的第二區(qū)域；S2、對硅基體進(jìn)行摻雜和退火處理，以使得硅基體背面的多晶硅層變?yōu)楸砻娓采w有含磷氧化層的摻磷多晶硅層，同時在硅基體正面的含有多晶硅繞鍍的第一區(qū)域和不含多晶硅繞鍍的第二區(qū)域上均形成薄氧化層；S3、對硅基體的正面進(jìn)行反應(yīng)離子刻蝕，以去除電池正面的多晶硅繞度，同時在電池正面的微米級的金字塔結(jié)構(gòu)上形成納米級孔洞結(jié)構(gòu)；S3、對硅基體進(jìn)行后處理。??