一種TOPCon鈍化接觸結(jié)構(gòu)中多晶硅層的數(shù)據(jù)測定方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110481567.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113241308A 公開（公告）日 2021-08-10
申請公布號 CN113241308A 申請公布日 2021-08-10
分類號 H01L21/66（2006.01）I;G01N27/27（2006.01）I;G01R27/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 杜哲仁;黃策;包杰;陳嘉;季根華;陳程;林建偉 申請（專利權(quán)）人 泰州中來光電科技有限公司
代理機構(gòu) 北京金之橋知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 袁芳;劉卓夫
地址 225500江蘇省泰州市姜堰經(jīng)濟開發(fā)區(qū)開陽路
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種TOPCon鈍化接觸結(jié)構(gòu)中多晶硅層的數(shù)據(jù)測定方法，包括以下步驟：S1.在同等工藝條件下制備具有TOPCon鈍化接觸結(jié)構(gòu)的使用品和測定品，并在測定品上增設(shè)電介質(zhì)層：使用品包括從內(nèi)到外依次位于晶體硅襯底上的隧穿氧化層和多晶硅層；測定品包括從內(nèi)到外依次位于晶體硅襯底上的電介質(zhì)層、隧穿氧化層和多晶硅層，使用品中的所述隧穿氧化層和多晶硅層分別與測定品中的隧穿氧化層和多晶硅層具有一致性；S2.對測定品和/或使用品進行數(shù)據(jù)測定，和/或?qū)?shù)據(jù)測定結(jié)果進行比對分析，得出最終測定結(jié)論。按照本發(fā)明提供的技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點：不受晶體硅襯底表面形貌影響、測定結(jié)果準確而且方便快捷。