一種太陽(yáng)能電池的制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011356479.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112490325A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-03-12 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112490325A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-12 |
| 分類號(hào) | H01L31/18(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 杜哲仁;趙影文;陳嘉;季根華;楊俊楠;張志郢;劉志鋒 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 泰州中來(lái)光電科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京金之橋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 耿璐璐;李托弟 |
| 地址 | 225500江蘇省泰州市姜堰經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)開(kāi)陽(yáng)路6號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)能電池的制備方法，該方法包括：S1、對(duì)硅片進(jìn)行預(yù)處理；S2、在硅片的背表面制備隧穿氧化層和多晶硅薄膜層；S3、在硅片的背面制備背面p+poly發(fā)射極；S4、對(duì)硅片的背面進(jìn)行局部磷漿印刷，并烘干處理，制備圖案化結(jié)構(gòu)；S5、對(duì)硅片進(jìn)行退火處理，形成正面n+前場(chǎng)和反摻雜的背面n+poly背場(chǎng)；S6、對(duì)硅片進(jìn)行后處理。本發(fā)明先在硅片背面制備整面p+poly發(fā)射極，然后選擇反摻雜的方式形成背面n+poly背場(chǎng)，從而可以避免使用復(fù)雜的光刻掩膜等技術(shù)；并且，本發(fā)明的n+poly背場(chǎng)反摻雜時(shí)采用磷漿印刷工藝，不但可以制備n+poly背場(chǎng)，同時(shí)也可形成電池的前表面場(chǎng)，對(duì)前表面起到很好地鈍化作用。?? |
