一種太陽能電池的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011356479.4 申請日 -
公開（公告）號 CN112490325A 公開（公告）日 2021-03-12
申請公布號 CN112490325A 申請公布日 2021-03-12
分類號 H01L31/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 杜哲仁;趙影文;陳嘉;季根華;楊俊楠;張志郢;劉志鋒 申請（專利權(quán)）人 泰州中來光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京金之橋知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 耿璐璐;李托弟
地址 225500江蘇省泰州市姜堰經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)開陽路6號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種太陽能電池的制備方法，該方法包括：S1、對硅片進(jìn)行預(yù)處理；S2、在硅片的背表面制備隧穿氧化層和多晶硅薄膜層；S3、在硅片的背面制備背面p+poly發(fā)射極；S4、對硅片的背面進(jìn)行局部磷漿印刷，并烘干處理，制備圖案化結(jié)構(gòu)；S5、對硅片進(jìn)行退火處理，形成正面n+前場和反摻雜的背面n+poly背場；S6、對硅片進(jìn)行后處理。本發(fā)明先在硅片背面制備整面p+poly發(fā)射極，然后選擇反摻雜的方式形成背面n+poly背場，從而可以避免使用復(fù)雜的光刻掩膜等技術(shù)；并且，本發(fā)明的n+poly背場反摻雜時采用磷漿印刷工藝，不但可以制備n+poly背場，同時也可形成電池的前表面場，對前表面起到很好地鈍化作用。??