一種復(fù)合材料修飾電極及其制備方法和應(yīng)用
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201910144315.6 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN109709177B | 公開(公告)日 | 2019-05-03 |
申請公布號 | CN109709177B | 申請公布日 | 2019-05-03 |
分類號 | G01N27/26(2006.01)I | 分類 | 測量;測試; |
發(fā)明人 | 涂新滿;朱倩;陶文艷;楊麗霞;羅旭彪;羅勝聯(lián) | 申請(專利權(quán))人 | 江西智匯環(huán)境技術(shù)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京高沃律師事務(wù)所 | 代理人 | 劉奇 |
地址 | 332000 江西省九江市九江經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)城西港區(qū)雙創(chuàng)基地2號廠房 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及修飾電極技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種復(fù)合材料修飾電極及其制備方法和應(yīng)用,本發(fā)明提供的復(fù)合材料修飾電極,包括玻碳電極和玻碳電極表面的復(fù)合物薄膜;所述復(fù)合物薄膜由包括多壁碳納米管和2?氨基?5?巰基?1,3,4?噻二唑的原料制備得到。所述復(fù)合材料修飾電極可以實現(xiàn)對Cd2+和Pb2+的高靈敏檢測,根據(jù)實施例的記載,所述復(fù)合材料修飾電極對鎘離子的檢測限最低可達(dá)為0.4μg/L,對鉛離子的檢測限最低可達(dá)0.3μg/L。?? |
