一種復(fù)合材料修飾電極及其制備方法和應(yīng)用

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910144315.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109709177A 公開(kāi)（公告）日 2019-05-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN109709177A 申請(qǐng)公布日 2019-05-03
分類號(hào) G01N27/26（2006.01）I; G01N27/30（2006.01）I; G01N27/333（2006.01）I 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 涂新滿; 朱倩; 陶文艷; 楊麗霞; 羅旭彪; 羅勝聯(lián) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江西智匯環(huán)境技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京高沃律師事務(wù)所 代理人 劉奇
地址 332000 江西省九江市九江經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)城西港區(qū)雙創(chuàng)基地2號(hào)廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及修飾電極技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種復(fù)合材料修飾電極及其制備方法和應(yīng)用，本發(fā)明提供的復(fù)合材料修飾電極，包括玻碳電極和玻碳電極表面的復(fù)合物薄膜；所述復(fù)合物薄膜由包括多壁碳納米管和2?氨基?5?巰基?1,3,4?噻二唑的原料制備得到。所述復(fù)合材料修飾電極可以實(shí)現(xiàn)對(duì)Cd2+和Pb2+的高靈敏檢測(cè)，根據(jù)實(shí)施例的記載，所述復(fù)合材料修飾電極對(duì)鎘離子的檢測(cè)限最低可達(dá)為0.4μg/L，對(duì)鉛離子的檢測(cè)限最低可達(dá)0.3μg/L。