一種降低溝槽型金屬氧化物半導(dǎo)體導(dǎo)通電阻的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911030598.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110729196A 公開（公告）日 2020-01-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN110729196A 申請(qǐng)公布日 2020-01-24
分類號(hào) H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃澤軍;張二雄;劉厚超;李何莉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市銳駿半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳眾邦專利代理有限公司 代理人 羅郁明
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)高新中一道2號(hào)長(zhǎng)園新材料港8棟4樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種降低溝槽型金屬氧化物半導(dǎo)體導(dǎo)通電阻的方法，包括以下步驟，在硅襯底上的N型外延層上生長(zhǎng)熱生長(zhǎng)氧化層，再淀積氧化層，進(jìn)行溝槽的刻蝕；生長(zhǎng)柵極氧化層，再淀積摻雜的柵極多晶硅；形成器件的柵極，P型雜質(zhì)注入，形成P型體區(qū)；進(jìn)行縱向的源區(qū)光刻，進(jìn)行N型雜質(zhì)注入；形成溝槽DMOS的源區(qū)；進(jìn)行縱向的P型濃摻雜區(qū)光刻，P型濃摻雜質(zhì)注入；淀積介質(zhì)隔離層,淀積鈦/氮化鈦，再淀積正面金屬層形成器件的源極；再生長(zhǎng)背面金屬層，形成器件的漏極，完成器件的制作；本發(fā)明通過(guò)改變器件的結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了更小元胞的制作，實(shí)現(xiàn)了相同面積導(dǎo)通電阻的降低或相同導(dǎo)通電阻芯片面積的減小，具有良好的市場(chǎng)應(yīng)用價(jià)值。